| 品牌 | 中國計量科學研究院 | 供貨周期 | 現貨 |
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| 應用領域 | 綜合 |
GaAs/AIAs 超晶格多層膜膜厚伟德1946吧可用於(yu) 與(yu) 多個(ge) 厚度尺寸相關(guan) 的設備校準，包括表麵分析設備，如俄歇電子光譜儀(yi) 、X 射線光電能譜儀(yi) 及二次離子質譜儀(yi) 的濺射速率校準;以及用於(yu) 透射電鏡
樣品製備RM 的 10 萬(wan) 倍到 30 萬(wan) 倍的中倍放大倍率校準。
家采用分子束外延生長方法，在 GaAs(100)基底上生長每層膜厚名義(yi) 量值為(wei) 10 nm 的 GaAs/AIAs 超晶格3周期，切割為(wei) 20 mm x20 mm 的正方形，經定值測量後采用鋁箔包裝袋真空包裝。org.c
二、溯源性及定值方法
采用掠入射 X 射線反射技術為(wei) 樣品定值，此設備為(wei) 計量校準裝置，角度溯源至多齒分度台標準裝置，入射光波長溯源至單晶矽晶格參數。通過使用滿足計量學特性要求的測量方法和計量器具保證其量值溯源性。
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